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65纳(na)米(mi)/55纳(na)米(mi)

65纳米/55纳米

手艺简(jian)介

中芯(xin)国际65纳(na)(na)米(mi)/55纳(na)(na)米(mi)逻辑(ji)手艺具备高机(ji)能,节能的(de)(de)上风,能够(gou)增添进步(bu)前辈手艺本(ben)钱的(de)(de)优化及(ji)设想胜(sheng)利的(de)(de)能够(gou)性。此(ci)(ci)65纳(na)(na)米(mi)/55纳(na)(na)米(mi)手艺的(de)(de)工(gong)艺元件(jian)挑选包罗(luo)低泄电和超低功耗手艺平台(tai)(tai)。此(ci)(ci)两种(zhong)手艺平台(tai)(tai)都供给三种(zhong)阈值(zhi)电压的(de)(de)元件(jian)和输入/输入电压为1.8V,2.5V和3.3V的(de)(de)元件(jian),而构成一个弹性的(de)(de)制程设想平台(tai)(tai)。此(ci)(ci)手艺的(de)(de)设想法(fa)则、规(gui)格及(ji)SPICE模子已(yi)完整。55纳(na)(na)米(mi)低泄电/超低功耗手艺和65纳(na)(na)米(mi)低泄电手艺首(shou)要的(de)(de)单位库已(yi)完整。

特色(se)

 

55/65纳(na)米工艺组件挑选:

规范工艺(yi)组件挑选

55 纳(na)米低泄电器件

65 纳米低泄电器件

焦点器件

(1.2V)

ULL

HVt

SVt

LVt

 

 

输(shu)入输(shu)入器件

1.8V

2.5V

3.3V

2.5V 超(chao)载 3.3V

2.5V 低(di)载 1.8V

 

内(nei)存

单(dan)端高(gao)密(mi)度(du)静态内(nei)存(cun)

单端高机能静态(tai)内存

双端高密度静态(tai)内存

双端高机(ji)能静态内存(cun)

0.425μ㎡

0.502μ㎡

0.789μ㎡

0.938μ㎡

0.525μ㎡

0.620μ㎡

0.974μ㎡

1.158μ㎡

 

利用产物

中芯国际55纳米逻(luo)辑产物(wu)首要面(mian)向高机能、低功(gong)耗的利用场景,如挪动利用和无(wu)线(xian)利用。

  • 挪(nuo)动利用

  • 无线利(li)用

其余工艺(yi)手(shou)艺(yi)